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HL-2A装置L和H模等离子体中的Zeff分析

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杂质通量和粒子约束对有效电荷数Zeff的影响在HL-2A装置放电中进行了验证，在实验中也发现了Zeff剖面刚性行为。在不同放电条件下系统地进行了Zeff的测量，如偏滤器和孔栏位形、欧姆和辅助加热、硅化前后、L-H模转化以及ELMy期间。Zeff在辅助加热手段(NBI, ECRH和LHCD)中均会增加，这与等离子体与壁的相互作用增强有关。硅化可以有效抑制杂质在等离子体边缘的通量，进而降低了Zeff。Zeff在每个ELMy事件中增加~ 0.5，并伴随着CIII通量的增加，但在L-H和H-L转化期间Zeff几乎保持不变。