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ID / 提交时间

1197 / 2019-10-30 13:38:33

标题

J-TEXT上基于大量杂质注入系统的逃逸电流抑制

关键字

主题及专题

全体主题 > 磁约束核聚变实验

状态

摘要录用

作者

魏禹农 / 华中科技大学电气学院聚变与等离子体研究所

摘要

研究发现，提高破裂前的电子密度可以抑制逃逸种子产生，从而抑制逃逸电流的形成。常见的手段即是大量杂质气体注入，但实现完全抑制可能需要非常高的杂质量。一种可能的逃逸电流抑制方式是，先投入适量的杂质气体进行有效的破裂缓解，再在逃逸电子的形成阶段投入大量的杂质气体实现逃逸电流的抑制。实验表明，在等离子体破裂的热猝灭阶段向等离子体中注入大量的氩或氪等高Z杂质均可以实现部分甚至完全的逃逸电流抑制，且注入时刻越早抑制效果越好。