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ID / 提交时间

1124 / 2019-10-29 17:33:27

标题

氘等离子体辐照下化学气相沉积钨中氘滞留与起泡行为研究

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主题及专题

全体主题 > 聚变材料与技术

状态

摘要录用

作者

皓尹 / 北京航空航天大学

摘要

降低聚变装置壁材料中氢同位素的滞留量，对维持聚变装置氚自持具有重要意义。晶界的结构和性质影响着金属材料的物理和化学性质，并对氢行为具有重要影响。本文从调控晶界特征进而改变材料微结构的角度出发，采用具有不同晶界密度与晶粒尺寸的钨材料开展高低温度下多个剂量氘等离子体辐照实验，探索晶界参数与氢同位素行为之间的关系。认为CVD钨中存在垂直于表面的晶界及适中的晶界密度导致CVD起泡数量减少，是其滞留量低的主要原因。