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1022 / 2019-10-28 08:05:03

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低能强流氦离子辐照下温度对钨纳米丝生长过程的影响

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全体主题 > 磁约束核聚变实验

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本研究通过改变辐照剂量探究He+辐照下温度对W丝生长过程的影响。实验结果表明，在He+能量50 eV，当反应温度为940 K时，随着剂量的增加W丝层厚度缓慢增加，在辐照温度逐渐提高至2000 K过程中，W丝层生长速度明显提升，并且厚度均呈现先增加后趋于饱和的趋势。通过建立物理模型模拟钨丝生长过程，初步结果为不同温度下钨丝层厚度随剂量逐渐增加，与实验值拟合结果良好