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ID / 提交时间

396 / 2018-09-07 18:10:12

标题

SiC MOSFET功率模块开通特性分析

关键字

主题及专题

全体主题 > A.各种新型电力半导体器件(含各类模块)的设计、工艺、特性分析、测试、可靠性等技术

状态

终稿

作者

博胡 / 三菱电机机电（上海）有限公司

摘要

本文首先对三菱电机1200V/800A SiC MOSFET功率模块FMF800DX-24A进行了介绍，着重分析了寄生参数影响下的SiC MOSFET功率模块开通过程，对开通的各个阶段进行了理论推导，得到了振荡产生的条件。搭建双脉冲测试平台进行开关测试，结合理论分析对SiC MOSFET功率模块开通实测波形进行分段分析，解释了开通过程中栅极振荡、漏极电流振荡和漏源电压振荡的原因，并提出了抑制振荡的措施，并通过实验来验证其可行性。