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高压功率模块封装技术研究概况与设计要点

全体主题 > J.国内外电力电子器件、电路、装置和系统的分析、控制、设计、制造和应用技术的发展动向和趋势综述

随着电力电子技术的发展，功率半导体器件在高压领域（3.3kV或更高）有巨大的发展潜力。为了充分发挥半导体功率模块的潜力，从封装内部结构入手，设计击穿电压更高的功率模块封装具有重大意义。本文通过分析商用IGBT模块，以有限元软件为平台，建立仿真模型，分析模块内部电场分布，为设计工作提供理论依据。为了设计适用于高压功率模块的封装，本文在确定功率模块内部电场最集中的“三重点”之后，针对功率模块绝缘衬底提出覆盖介电涂层以及堆叠结构两种方案以削弱电场集中点，并对优化前后的结果进行比较分析，实验结果证明其满足更高阻断电压的需求。