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ID / 提交时间

209 / 2018-07-10 10:36:49

标题

SiC MOSFET 的特性分析与应用

关键字

主题及专题

全体主题 > A.各种新型电力半导体器件(含各类模块)的设计、工艺、特性分析、测试、可靠性等技术

状态

全文被拒

作者

鹏毛 / 北方工业大学

靓张 / 北方工业大学

张卫平 / 北方工业大学

摘要

本文对比了硅和碳化硅材料的物理特性。研究了 SiMOSFET 和 SiC MOSFET 的通态电阻和阈值电压的温度特性，并对其输出特性进行分析。建立了准确的数学模型描述SiC MOSFET 的非线性寄生电容。此外，给出了 SiCMOSFET 驱动电压的选择。在理论分析的基础上，搭建了交错并联反激变换器实验平台。