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ID / 提交时间

206 / 2018-07-02 13:02:13

标题

多芯片并联压接IGBT模块封装优化设计

关键字

主题及专题

全体主题 > A.各种新型电力半导体器件(含各类模块)的设计、工艺、特性分析、测试、可靠性等技术

状态

终稿

作者

韩鲁斌 / 华中科技大学

琳梁 / 华中科技大学

赵子豪 / 华中科技大学

摘要

针对多芯片并联压接IGBT的封装优化设计，本文从并联芯片的电流分布和压力分布两个角度讨论了封装布局对两者的影响。从电流分布的机理出发提出了压接IGBT模块内部外IGBT内FRD的布局设计。与内IGBT外FRD布局作对比，从电感提取结果和双脉冲仿真结果表明这种布局在400A到3000A电流等级中具有更优的电流分布；两种方案的压装过程仿真结果显示方案2的IGBT芯片和FRD芯片具有更均匀的应力分布。根据外IGBT内FRD的方案自主设计的压接IGBT模块在脉冲电流实验中具有良好的电气性能。