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A Novel IGBT with Double Buffer Layers for High Temperature Operation
编号：119 访问权限：仅限参会人 更新：2022-10-11 11:12:32 浏览：257次 口头报告

报告开始：2022年11月04日 08:50（Asia/Shanghai）

报告时间：20min

所在会场：[E] Power Electronics Technology and Application [OS2] Oral Session 2

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摘要
暂无
关键词
暂无
报告人
Qian Zhang
Hunan University

稿件作者
Qian Zhang Hunan University
Kai Xiao China Southern Power Grid Extra High Voltage Power Transmission Company Maintenance Test Center
Jun Wang Hunan University
Gaoqiang Deng Hunan University
Shiwei Liang Hunan University
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重要日期

  • 会议日期

    11月03日

    2022

    至

    11月05日

    2022

  • 08月01日 2022

    初稿截稿日期

  • 11月04日 2022

    注册截止日期

  • 11月05日 2022

    报告提交截止日期

主办单位
Huazhong University of Science and Technology
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